市場(chǎng)空間：預(yù)計(jì)2025年HJT設(shè)備市場(chǎng)空間超400億，龍頭企業(yè)市值將超千億

 

對(duì)2021-2025年HJT市場(chǎng)空間進(jìn)行測(cè)算，假設(shè):

 

1)全球電池片產(chǎn)量從168GW增長(zhǎng)至490GW，CAGR=24%，產(chǎn)能利用率為75%，產(chǎn)能從224GW增長(zhǎng)至653GW。（2019年全球電池片產(chǎn)量為140GW，yoy+23%，產(chǎn)能利用率為66%）；

 

2)未來5年HJT在行業(yè)滲透率從3%提升至55%；

 

3)設(shè)備投資額從5億，以15-20%的年降幅下降至2.5億元。

 

測(cè)算得出，2025年HJT設(shè)備市場(chǎng)空間有望達(dá)419億元，2020-2025年CAGR達(dá)80%，其中PECVD設(shè)備規(guī)模達(dá)210億元，市場(chǎng)將迎來爆發(fā)式增長(zhǎng)。

 

通用設(shè)備行業(yè)具有較強(qiáng)的“先發(fā)優(yōu)勢(shì)”特征，在技術(shù)未成熟的初期，設(shè)備公司需要與下游客戶進(jìn)行不斷的工藝磨合、驗(yàn)證。雖然前期成本較高，但一旦驗(yàn)證通過，將拿下絕大多份額，且不容易被其他競(jìng)爭(zhēng)對(duì)手所替代。

 

對(duì)比PERC工藝，由于HJT單工藝步驟難度較大（更偏向于半導(dǎo)體工藝）、前期研發(fā)投入成本更高，當(dāng)行業(yè)進(jìn)入成熟期，我們預(yù)計(jì)會(huì)類似半導(dǎo)體設(shè)備行業(yè)（應(yīng)用材料+泛林半導(dǎo)體），由2-3家占據(jù)90%以上市場(chǎng)份額。

 

對(duì)2025年HJT設(shè)備400億市場(chǎng)空間，進(jìn)行合理市值空間測(cè)算：

 

1)假設(shè)HJT設(shè)備凈利率20%（參考捷佳PERC設(shè)備在2017-2018年左右的盈利表現(xiàn)，40%毛利率，20%凈利率，HJT設(shè)備技術(shù)壁壘較PERC更高，盈利能力預(yù)計(jì)不弱于PERC設(shè)備），對(duì)應(yīng)約80億利潤(rùn)；

 

2)給與設(shè)備行業(yè)25倍PE估值（邁為、捷佳上市以來PE TTM基本在30-35倍PE以上），對(duì)應(yīng)支撐2000億市值。

 

3)基于設(shè)備行業(yè)集中度較高的特征（通常2-3家占據(jù)90%以上市場(chǎng)份額），假設(shè)行業(yè)基本面沒有大的變化，市場(chǎng)將有望誕生千億市值公司！

 

HJT設(shè)備行業(yè)的競(jìng)爭(zhēng)格局

 

HJT 4大工藝步驟：制絨清洗、非晶硅薄膜沉積、TCO制備、電極制備，對(duì)應(yīng)的設(shè)備分別為清洗制絨設(shè)備、PECVD設(shè)備、PVD/RPD設(shè)備、絲網(wǎng)印刷設(shè)備,在設(shè)備投資額占比分別約10%、50%、25%和15%。

 

 

 

1）制絨設(shè)備：主要是利用化學(xué)制劑對(duì)硅片進(jìn)行清洗和表面結(jié)構(gòu)化，核心設(shè)備是濕式化學(xué)清洗設(shè)備。

 

主要廠商：日本YAC、德國(guó)Singulus、德國(guó)RENA。捷佳偉創(chuàng)的清洗設(shè)備已完成樣機(jī)并交付。

 

2）PECVD（非晶硅薄膜沉積）：該步驟取代了傳統(tǒng)PERC工藝中的擴(kuò)散工藝，是構(gòu)造異質(zhì)結(jié)結(jié)構(gòu)的關(guān)鍵，難度、壁壘最高，價(jià)值占到全部設(shè)備的50%，為異質(zhì)結(jié)設(shè)備的核心。從技術(shù)路徑上：板式PECVD是目前主流，管式PECVD、Cat-CVD具潛力。國(guó)外廠商包括：梅耶博格（已不對(duì)外提供）、應(yīng)用材料等。國(guó)內(nèi)廠商包括：邁為股份、金辰股份、捷佳偉創(chuàng)、理想能源、鈞石能源等。

 

板式PECVD：將多片硅片放置在一個(gè)石墨或碳纖維支架上，放入一個(gè)金屬的沉積腔室中，腔室中有平板型的電極，與樣品支架形成一個(gè)放電回路，在腔室中的工藝氣體在兩個(gè)極板之間的交流電長(zhǎng)的作用下在空間形成等離子體，分解SiH4中的Si和H，以及NH3中的N形成SiNx沉積到硅表面。優(yōu)勢(shì)：技術(shù)最成熟，易實(shí)現(xiàn)大面積均勻性，材料缺陷態(tài)密度低。

 

管式PECVD：使用像擴(kuò)散爐管一樣的石英管作為沉積腔室，使用電阻爐作為加熱體，將一個(gè)可以放置多篇硅片的石墨舟插進(jìn)石英管中進(jìn)行沉積。優(yōu)勢(shì)：相比板式PECVD，成本端有更大的下降空間。

 

CAT-CVD：源氣體分子在真空室中通過加熱的催化劑進(jìn)行催化裂化反應(yīng)分解，并將裂解的物質(zhì)輸送到基材上形成薄膜。優(yōu)勢(shì)：相比傳統(tǒng)PECVD，轉(zhuǎn)換效率提升潛力大，對(duì)于源氣體的利用率在80%以上。且Cat-CVD理論上可在熱絲兩側(cè)同時(shí)沉積，生產(chǎn)速度更快。

 

 

 

3）TCO薄膜設(shè)備-PVD/RPD：技術(shù)壁壘低于PECVD，主要包括RPD和PVD兩種的技術(shù)路徑設(shè)備。目前主流技術(shù)路線是用PVD（物理氣相沉淀），相較于PVD，RPD的效率和質(zhì)量更高，但是受制于日本住友公司對(duì)設(shè)備和靶材的壟斷，成本較高。

 

國(guó)外廠商包括：瑞士Meyerburger、德國(guó)Vonardenne、德國(guó)Singulus、日本住友等。

 

國(guó)內(nèi)廠商包括：邁為股份PVD（MUP8K）設(shè)備已達(dá)到8000片/小時(shí)產(chǎn)能。捷佳偉創(chuàng)通過與日本住友合作也具備了RPD設(shè)備的供應(yīng)能力，工藝成熟，并推出了PAR（RPD+PVD）二合一設(shè)備、在轉(zhuǎn)換效率和成本端取得平衡。鈞石能源、理想萬里暉均有PVD設(shè)備布局。

 

4）絲網(wǎng)印刷機(jī)：包括絲網(wǎng)印刷（包括絲網(wǎng)印刷機(jī)，燒結(jié)爐，分選機(jī)）和電鍍銅電極兩種技術(shù)路線，目前以絲網(wǎng)印刷為主流。電鍍銅電極相較而言更便宜，但是工序較多、工藝復(fù)雜、有廢水處理難等問題，目前參與廠商較少。

 

國(guó)外廠商包括Baccini（AMAT的子公司）等。

 

國(guó)內(nèi)廠商：邁為股份占主導(dǎo)地位，捷佳偉創(chuàng)、金辰股份也推出了相關(guān)產(chǎn)品。

 

目前，HJT設(shè)備4大環(huán)節(jié)均已實(shí)現(xiàn)國(guó)產(chǎn)化。國(guó)內(nèi)電池設(shè)備廠商（邁為、捷佳、金辰、鈞石、理想）已紛紛在HJT不同工序環(huán)節(jié)布局，實(shí)現(xiàn)小批量訂單銷售，推動(dòng)HJT電池行業(yè)加速前進(jìn)。

 

HJT技術(shù)壁壘高、成本優(yōu)化空間大，只有將設(shè)備做到極致的企業(yè)能最終勝出。行業(yè)可能類似PERC時(shí)代，形成2-3家寡頭壟斷的競(jìng)爭(zhēng)格局。